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PQMB11Z

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PQMB11Z
Beschreibung: TRANS PNP/PNP RET 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 230mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 180MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010B-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 4975 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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