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PMZB370UNE,315

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMZB370UNE,315
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DFN1006B-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.16nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 78pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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