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PMXB65UPEZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMXB65UPEZ
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010D-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 634pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

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