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PMXB65ENEZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMXB65ENEZ
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 67mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010D-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 295pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4847 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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