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PMV65XP/MIR

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMV65XP/MIR
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 744pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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