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PMV213SN,215

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMV213SN,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 280mW (Tj)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 330pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 241892 pcs

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