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PMPB215ENEA/FX

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMPB215ENEA/FX
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 230mOhm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 215pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 85 pcs

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