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PMDPB30XN,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: PMDPB30XN,115
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 490mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 6-HUSON-EP (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 21.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 660pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A

Auf Lager 3114 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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