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PMBT3904QAZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: PMBT3904QAZ
Beschreibung: PMBT3904QA/SOT1215/DFN1010D-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Teilstatus Active
Leistung - Max 440mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010D-3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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