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PHT6NQ10T,135

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHT6NQ10T,135
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SC-73
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 633pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 13985 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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