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PHD20N06T,118

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHD20N06T,118
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 51W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 422pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

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