Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

PEMH13,315

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PEMH13,315
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket SOT-666
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.06 $0.06 $0.06
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RN1908,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.3
RN4903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1706,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.05
RN1705,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2703,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.33