Image is for reference only , details as Specifications

PDTD123YT,215

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTD123YT,215
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTD123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 145506 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
ZXTN25020DZTA
Diodes Incorporated
$0
ZXTP25060BFHTA
Diodes Incorporated
$0
ZXTN25100DFHTA
Diodes Incorporated
$0
ZXTN25100BFHTA
Diodes Incorporated
$0