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PDTD113EUF

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTD113EUF
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms
Frequenz - Übergang 225MHz
Lieferanten-Gerätepaket SC-70
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 1 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 33 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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