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PDTC143XQAZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTC143XQAZ
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 280mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 230MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010D-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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