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PDTA123ETVL

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTA123ETVL
Beschreibung: PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 2.2 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 20mA, 5V

Auf Lager 10000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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