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PDTA113EMB,315
| Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | PDTA113EMB,315 |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | PDTA113 |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 180MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN1006B-3 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 1 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 30 @ 40mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 91 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.05 | $0.05 | $0.05 |
Minimale: 1
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