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BSH205G2VL

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSH205G2VL
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 170mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 480mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 418pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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