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BSH111,215

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSH111,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 830mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 1nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 40pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 335mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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