Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BCM847QASZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: BCM847QASZ
Beschreibung: BCM847QAS/SOT1216/DFN1010B-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 350mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 NPN (Dual) Matched Pair
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010B-6
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 3136 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

EMX52T2R
ROHM Semiconductor
$0
EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
$0
BCM857QASZ
Nexperia USA Inc.
$0
UP0459800L
Panasonic Electronic Components
$0
EMT51T2R
ROHM Semiconductor
$0