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BC857RAZ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: BC857RAZ
Beschreibung: BC857RA/SOT1268/DFN1412-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 325mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1412-6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 5000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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