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BC857C/DG/B3,215
| Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | BC857C/DG/B3,215 |
| Beschreibung: | TRANS GEN PURPOSE TO-236AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistortyp | PNP |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-236AB |
| Vce Sättigung (Max.) | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 125 @ 2mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 45V |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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