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SI9936DY,518

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI9936DY,518
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchMOS™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 900mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer SI9936
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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