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PSMN7R6-60XSQ

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN7R6-60XSQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.8mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 46W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.) 38.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2651pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 51.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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