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PSMN1R9-25YLC,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN1R9-25YLC,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.05mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 141W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max.) 57nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3504pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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