PMV30UN,215
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PMV30UN,215 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 36mOhm @ 2A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.9W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.4nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 460pF @ 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1