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PMV185XN,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMV185XN,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 76pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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