Image is for reference only , details as Specifications

PMV185XN,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMV185XN,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 76pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
$0
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
$0
FDMS3006SDC
ON Semiconductor
$0
FDD850N10LD
ON Semiconductor
$0
IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
$0