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PMPB12UN,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMPB12UN,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 886pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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