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PMN55LN,135

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMN55LN,135
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 65mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.75W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 13.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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