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PMFPB6532UP,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMFPB6532UP,115
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DFN2020-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 380pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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