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PMF780SN,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMF780SN,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 920mOhm @ 300mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 560mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-323-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.05nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 23pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 570mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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