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PMF63UN,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMF63UN,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-323-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 185pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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