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PMEM4010ND,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: PMEM4010ND,115
Beschreibung: TRANS NPN 40V 1A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 600mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp NPN + Diode (Isolated)
Basis-Teilenummer PMEM4010N
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Vce Sättigung (Max.) 210mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 300 @ 500mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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