Image is for reference only , details as Specifications
PMDPB65UP,115
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | PMDPB65UP,115 |
| Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 520mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Basis-Teilenummer | PMDPB65UP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 70mOhm @ 1A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN2020-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 380pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.5A |
Auf Lager 91 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
