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PHX18NQ11T,127

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHX18NQ11T,127
Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 31.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 110V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 635pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 63 pcs

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