PHK28NQ03LT,518
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PHK28NQ03LT,518 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.5mOhm @ 14A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 6.25W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 30.3nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2800pF @ 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 62 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1