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PHB38N02LT,118

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHB38N02LT,118
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) 12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V
Verlustleistung (Max.) 57.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 15.1nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 800pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 44.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V

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