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PDTA113EE,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTA113EE,115
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTA113
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SC-75
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 1 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 1.5mA, 30mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 40mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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