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PBLS2003S,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PBLS2003S,115
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Basis-Teilenummer PBLS2003
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 20V

Auf Lager 76 pcs

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