Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

MRFE6VP6600GNR3

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt: MRFE6VP6600GNR3
Beschreibung: TRANS RF LDMOS 600W 50V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Gewinnen 24.7dB
Serie -
Frequenz 230MHz
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Rauschbild -
Aktuell - Test 100mA
Paket / Fall OM-780G-4L
Leistung - Ausgang 600W
Spannung - Test 50V
Transistortyp LDMOS (Dual)
Spannung - Bewertet 133V
Aktuelle Bewertung (Amps) -
Lieferanten-Gerätepaket OM-780G-4L

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$78.94 $77.36 $75.81
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

A2T21H100-25SR3
NXP USA Inc.
$75.9
MRFE6VP100HSR5
NXP USA Inc.
$74.93
MMRF2007GNR1
NXP USA Inc.
$67.92
A2T21S260W12NR3
NXP USA Inc.
$67.68
A2T18S262W12NR3
NXP USA Inc.
$67.68