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MHE1003NR3
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | MHE1003NR3 |
| Beschreibung: | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 14.1dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 50mA |
| Paket / Fall | OM-780-2 |
| Leistung - Ausgang | 53dBm |
| Spannung - Test | 28V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | 10µA |
| Lieferanten-Gerätepaket | OM-780-2 |
Auf Lager 52 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $130.20 | $127.60 | $125.04 |
Minimale: 1
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