BUK9E8R5-40E,127
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BUK9E8R5-40E,127 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 96W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I2PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 20.9nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2600pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1