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BUK9E3R2-40B,127

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BUK9E3R2-40B,127
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 94nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10502pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 60 pcs

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