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BFU730LXZ

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFU730LXZ
Beschreibung: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 15.8dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 160mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 53GHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.75dB @ 6GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 205 @ 2mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 3V

Auf Lager 10350 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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