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BFG520W/X,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFG520W/X,115
Beschreibung: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFG520
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 9GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-SO
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 70mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 60 @ 20mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 15V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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