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BFG35,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFG35,115
Beschreibung: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFG35
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4GHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Rauschfigur (dB-Typ f) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 25 @ 100mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 18V

Auf Lager 1538 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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