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BAP1321LX,315

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Diodes - RF
Datenblatt: BAP1321LX,315
Beschreibung: RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Diodes - RF
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp PIN - Single
Teilstatus Obsolete
Aktuell - Max 100mA
Paket / Fall 2-XDFN
Basis-Teilenummer BAP1321
Widerstand - If, F 1.3Ohm @ 100mA, 100MHz
Kapazität - Vr, F 0.28pF @ 20V, 1MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (Max.) 130mW
Lieferanten-Gerätepaket 2-DFN1006D (0.6x1.0)
Spannung - Peak Reverse (Max) 60V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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