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A2T18S261W12NR3

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt: A2T18S261W12NR3
Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Gewinnen 18.2dB
Serie -
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Teilstatus Not For New Designs
Rauschbild -
Aktuell - Test 1.5A
Paket / Fall OM-880X-2L2L
Leistung - Ausgang 280W
Spannung - Test 28V
Transistortyp LDMOS
Spannung - Bewertet 65V
Aktuelle Bewertung (Amps) 10µA
Lieferanten-Gerätepaket OM-880X-2L2L

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$67.68 $66.33 $65.00
Minimale: 1

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