A2T18S261W12NR3
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Datenblatt: | A2T18S261W12NR3 |
Beschreibung: | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Gewinnen | 18.2dB |
Serie | - |
Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Teilstatus | Not For New Designs |
Rauschbild | - |
Aktuell - Test | 1.5A |
Paket / Fall | OM-880X-2L2L |
Leistung - Ausgang | 280W |
Spannung - Test | 28V |
Transistortyp | LDMOS |
Spannung - Bewertet | 65V |
Aktuelle Bewertung (Amps) | 10µA |
Lieferanten-Gerätepaket | OM-880X-2L2L |
Auf Lager 56 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$67.68 | $66.33 | $65.00 |
Minimale: 1