Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
A2T18S160W31GSR3
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | A2T18S160W31GSR3 |
| Beschreibung: | IC TRANS RF LDMOS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 19.9dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 1.88GHz |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 1A |
| Paket / Fall | NI-780GS-2L2LA |
| Leistung - Ausgang | 32W |
| Spannung - Test | 28V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | NI-780GS-2L2LA |
Auf Lager 83 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $102.99 | $100.93 | $98.91 |
Minimale: 1
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