Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
A2G22S251-01SR3
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | A2G22S251-01SR3 |
| Beschreibung: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 17.7dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 1.805GHz ~ 2.2GHz |
| Teilstatus | Active |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 200mA |
| Paket / Fall | NI-400S-2S |
| Leistung - Ausgang | 52dBm |
| Spannung - Test | 48V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 125V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | NI-400S-2S |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $114.91 | $112.61 | $110.36 |
Minimale: 1
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